Playdate Edit Ft. Nezuko - Alight Motion Preset

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5. एसी से एसी कन्वर्टर्स। ये फिक्स्ड एसी इनपुट वोल्टेज को वेरिएबल एसी आउटपुट में बदलते हैं

वोल्टेज। ये दो प्रकार के होते हैं: ले (ए) एसी वोल्टेज नियंत्रक (एसी वोल्टेज नियामक)। ये कनवर्टर सर्किट एक ही आवृत्ति पर निश्चित एन वोल्टेज को सीधे एक चर एसी वोल्टेज में परिवर्तित करते हैं। एसी वोल्टेज नियंत्रक दो थाइरिस्टर को एंटीपैरेलल या एक ट्राइक में नियोजित करता है। दोनों उपकरणों का टर्न-ऑफ लाइन द्वारा प्राप्त किया जाता है

रूपान्तरण। फायरिंग कोण विलंब को बदलकर आउटपुट वोल्टेज को नियंत्रित किया जाता है। एसी वोल्टेज

नियंत्रकों का व्यापक रूप से प्रकाश नियंत्रण, प्रशंसकों की गति नियंत्रण, पंप आदि के लिए उपयोग किया जाता है।

(बी) साइक्लोकोनवर्टर। ये सर्किट एक आवृत्ति पर इनपुट पावर को आउटपुट पावर में परिवर्तित करते हैं

एक-चरण रूपांतरण के माध्यम से एक अलग आवृत्ति पर। लाइन कम्यूटेशन अधिक सामान्य है

ये कन्वर्टर्स, हालांकि मजबूर और लोड कम्यूटेटेड साइक्लोकोनवर्टर भी कार्यरत हैं। इन

मुख्य रूप से धीमी गति के बड़े एसी ड्राइव जैसे रोटरी भट्ठा आदि के लिए उपयोग किया जाता है।) 6. स्टेटिक स्विच। पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस स्थिर स्विच या संपर्ककर्ताओं के रूप में काम कर सकते हैं। मैकेनिकल और इलेक्ट्रोमैकेनिकल सर्किट ब्रेकर पर स्टेटिक स्विच के कई फायदे हैं। इनपुट आपूर्ति के आधार पर, स्टैटिक स्विच को एसी स्टैटिक स्विच या डी स्टैटिक स्विच कहा जाता है।

1.7. पावर इलेक्ट्रॉनिक मॉड्यूल

एक पावर इलेक्ट्रॉनिक कनवर्टर को सर्किट कॉन्फ़िगरेशन के आधार पर दो, चार या अधिक अर्धचालक उपकरणों की आवश्यकता हो सकती है। उदाहरण के लिए, एक सिंगल-फेज हाफ-ब्रिज इन्वर्टर के लिए एक पावर मॉड्यूल की आवश्यकता होती है जिसमें दो पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस होते हैं; एक पूर्ण-कन्वर्टर (या सीएच-ब्रिज कनवर्टर) को चार अर्धचालक उपकरणों वाले एक पावर मॉड्यूल की आवश्यकता होती है; एक तीन चरण पूर्ण कनवर्टर को छह अर्धचालक उपकरणों वाले पावर मॉड्यूल की आवश्यकता होती है। इस प्रकार, एक विद्युत इलेक्ट्रॉनिक dconverter को अलग-अलग अर्धचालक उपकरणों के बजाय पावर मॉड्यूल से इकट्ठा किया जा सकता है। एक पावर मॉड्यूल में पारंपरिक उपकरणों की तुलना में बेहतर प्रदर्शन विशेषताएँ होती हैं जहाँ तक उनकी स्विचिंग विशेषताओं, परिचालन गति और नुकसान का संबंध है। व्यक्तिगत उपकरणों या पावर मॉड्यूल के लिए गेट ड्राइव सर्किट भी व्यावसायिक रूप से उपलब्ध हैं। इन विकासों के परिणामस्वरूप, अब बुद्धिमान मॉड्यूल बाजार में आ गए हैं।

वी इंटेलिजेंट मॉड्यूल, जिसे स्मार्ट-पावर भी कहा जाता है, अत्याधुनिक पावर इलेक्ट्रॉनिक्स है और इसमें पावर मॉड्यूल और एक परिधीय सर्किट होता है। पेरिफेरल सर्किट में लो-वोल्टेज यूसी सिग्नल और हाई-वोल्टेज पावर सर्किट, एक ड्राइव सर्किट, प्रोटेक्शन और डायग्नोस्टिक सर्किटरी से या अतिरिक्त करंट, ओवर वोल्टेज आदि जैसे खराबी के खिलाफ इनपुट / आउटपुट के साथ पावर मॉड्यूल का एगिन्टरफेसिंग शामिल है। माइक्रो कंप्यूटर नियंत्रण और बिजली की आपूर्ति को नियंत्रित करना। उपयोगकर्ता को केवल मौजूदा आपूर्ति और लोड टर्मिनलों को स्मार्ट-पावर से जोड़ना है। वर्तमान में, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में इंटेलिजेंट मॉड्यूल का व्यापक रूप से उपयोग किया जा रहा है। यह बताया गया है कि बुद्धिमान मॉड्यूल के बीस से अधिक निर्माता हैं ।

सारांश

पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस आधुनिक पावर इलेक्ट्रॉनिक्स का दिल बनाते हैं। एक पावर इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियर को पावर कन्वर्टर्स के कुशल, विश्वसनीय और लागत प्रभावी डिजाइन के लिए डिवाइस को अच्छी तरह से समझना चाहिए। इस प्रयोजन के लिए, अध्याय 2 पावर सेमीकंडक्टर डायोड, ट्रांजिस्टर और एमसीटी के अध्ययन के लिए समर्पित है। अध्याय 3 डायोड सर्किट और रेक्टिफायर से संबंधित है। अध्याय 4 में, थाइरिस्टर विशेषताओं और इसकी नियंत्रण रणनीतियों के बारे में विस्तार से चर्चा की गई है। थाइरिस्टर कम्यूटेशन तकनीकों का वर्णन अध्याय 5 में किया गया है। इस अध्याय में वर्णित अन्य पावर इलेक्ट्रॉनिक कन्वर्टर्स का वर्णन अध्याय 6 के बाद में विस्तार से किया गया है।

जब विद्युत क्षेत्र आगे प्रसार बंद कर देता है, तो चार्ज वाहक (छेद और इलेक्ट्रॉन) नहीं चलते हैं। एक परिणाम के रूप में, जंक्शन के प्रत्येक तरफ विपरीत आवेश स्थिर आयन उत्पन्न करते हैं, अंजीर। 21 p और n दोनों अर्धचालक परतों में फैले हुए क्षेत्र को अवक्षय क्षेत्र या सेचार्ज क्षेत्र कहा जाता है। रिक्तीकरण क्षेत्र की चौड़ाई, या अवक्षय परत, 10 मिमी के क्रम की है। संतुलन में, जिलिकॉन के रिक्तीकरण क्षेत्र में 0.7 V और जर्मेनियम में रिक्तीकरण क्षेत्र में 0.3 V का संभावित अंतर होता है। यह संभावित अंतर

अवक्षय परत को अवरोध विभव कहते हैं। जब बैटरी का धनात्मक टर्मिनल p-प्रकार की सामग्री और ऋणात्मक टर्मिनल प्रकार की सामग्री, चित्र 2.1 (c) से जुड़ा होता है, तो p-n जंक्शन अग्रदिशिक होता है। पुनरावृति का धनात्मक टर्मिनल p पदार्थ से इलेक्ट्रॉनों को चूसता है जिससे वहां छिद्र हो जाते हैं। ये छिद्र p-tरियल से p-n संधि पर ऋणात्मक आवेश की ओर जाते हैं और इस प्रकार इस ऋणात्मक आवेश को आंशिक रूप से निष्क्रिय कर देते हैं। इसी तरह, बैटरी का ऋणात्मक टर्मिनल इलेक्ट्रॉनों को n परत में अंतःक्षेपित करता है। ये इलेक्ट्रॉन n पदार्थ से होकर p-n संधि पर पहुँचते हैं जिससे धनात्मक rge आंशिक रूप से निष्प्रभावी हो जाता है। नतीजतन, कमी क्षेत्र की चौड़ाई कम हो जाती है।

मामले में p सामग्री बैटरी के ऋणात्मक टर्मिनल से और n सामग्री को धनात्मक से जोड़ा जाता है

बैटरी की मात्रा, तो यह घटाया जा सकता है कि रिक्तीकरण परत की चौड़ाई बढ़ जाती है, चित्र 2.1(d)। जंक्शन तापमान में वृद्धि से अवक्षय परत की चौड़ाई भी कम हो जाती है। चूंकि अवरोध क्षमता अवक्षय परत की चौड़ाई पर निर्भर करती है, इसलिए तापमान में वृद्धि के साथ अवरोध क्षमता कम हो जाती है ।

पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों के लिए, यह ध्यान में रखा जाना चाहिए कि (i) हल्के से एक जंक्शन

इसके एक तरफ पेड परत के लिए बड़े ब्रेकडाउन वोल्टेज की आवश्यकता होती है और (ii) अत्यधिक . के साथ एक जंक्शन

इसके दोनों किनारों पर पेड परतों को कम ब्रेकडाउन वोल्टेज की आवश्यकता होती है।

पावर डायोड की बुनियादी संरचना

पावर डायोड सिग्नल डायोड से संरचना में भिन्न होते हैं। जैसा कि चित्र 2.1 में दिखाया गया है, एक सिग्नल डायोड एक साधारण पिन एक्शन बनाता है। पावर डायोड के निर्माण में जटिलताएं आवश्यकता से उत्पन्न होती हैं जो उन्हें उच्च-वोल्टेज और उच्च-वर्तमान अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती हैं। पावर डायोड की व्यावहारिक प्राप्ति और परिणामी संरचना को चित्र 2.2 . में दिखाया गया है

एनोड

इसमें भारी डोप किया हुआ एन सब्सट्रेट होता है। इस सब्सट्रेट पर, हल्के ढंग से डोप की गई n परत को तकनीकी रूप से उगाया जाता है। अब एक भारी डोप्ड प्लेयर को n लेयर में घुमाकर वर् डायोड का एनोड बनाया जाता है, चित्र 22 (a)। इससे पता चलता है कि n मूल संरचनात्मक विशेषता है जो कि नाल डायोड में नहीं पाई जाती है। एन परत का कार्य रिवर्स बायस्ड जंक्शन जे की कमी परत की परिक्रमा करना है। ब्रेक-डाउन वोल्टेज। एक पावर डायोड में डीड मोटाई परत को नियंत्रित करता है; अधिक से अधिक ब्रेकडाउन वोल्टेज, फिर परत की मोटाई। आयर का दोष डायोड में महत्वपूर्ण ओमिक प्रतिरोध जोड़ना है जब वह आगे डायोड का संचालन कर रहा हो; इसलिए ई डायोड रेटिंग में उचित शीतलन व्यवस्था आवश्यक है।

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